IMZ1AT108, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 50 В, 300 мВт, 150 мА, 120 hFE, SOT-457
33 руб.
- Производитель
- Rohm
Полное описание
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
• Transistor elements are independent, eliminating interference
• Mounting area can be cut in half
• Ultra-compact complex digital transistor
• Potential divider type
• Small surface-mount package
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-457 |
| Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
| Полярность Транзистора | NPN, PNP |
| DC Ток Коллектора | 150мА |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,4 В (NPN), -0,5 В (PNP) |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.9мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -60 В, 60 В |
| Производитель | ROHM |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Тип корпуса | SC-74 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.6мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 150 mA |
| Тип транзистора | NPN, PNP |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.9 x 1.6 x 1мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -6 В (PNP), 7 В (NPN) |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 120 |
| Вес, г | 0.363 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...