BC847BVN-7, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 45 В, 150 мВт, 100 мА, 290 hFE, SOT-563
29 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Small Signal Dual NPN/PNP Transistors, Diodes IncПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Полярность Транзистора | NPN, PNP |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 290hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 мВ |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц (мин.) |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 700 мВ, 900 мВ |
| Длина | 1.6мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 50 В |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
| Тип корпуса | SOT-563 |
| Максимальное рассеяние мощности | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Ширина | 1.2мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | NPN, PNP |
| Высота | 0.6мм |
| Число контактов | 6 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 1.6 x 1.2 x 0.6мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Вес, г | 0.01 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...