ZXTD4591E6TA, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 60 В, 1.1 Вт, 1 А, 100 hFE, SOT-23
73 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The ZXTD4591E6TA is a NPN-PNP complementary medium power Bipolar Transistor Array offers 1 and -1A continuous collector current respectively. It is suitable for MOSFET gate driver, low power motor drive and DC-to-DC converters.
• UL94V-0 Flammability rating
• Low saturation voltage (500mV and -600mV maximum @ 1A for NPN and PNP)
• hFE characterised up to 2A (for NPN and PNP)
• 210mR and 355mR RSAT @1A for a low equivalent ON-resistance (NPN and PNP)
• Halogen-free, Green device
• -55 to 150°C Operating temperature range
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1Вт |
| Полярность Транзистора | NPN, PNP |
| DC Ток Коллектора | 1а |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,2 В |
| Длина | 3мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,7 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.75мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 А |
| Тип транзистора | NPN, PNP |
| Высота | 1.3мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 1.3 x 3 x 1.75мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 15 |
| Вес, г | 0.353 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...