MMDT4413-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 40 В, 200 мВт, 600 мА, 100 hFE, SOT-363

32 руб.

Производитель: Diodes Incorporated

Полное описание

The MMDT4413-7-F is a NPN-PNP complementary pair small signal Bipolar Transistor Array ideal for medium power amplification and switching applications. It has two internally isolated transistors in one package (4401 - NPN and 4403 - PNP).

• UL94V-0 Flammability rating
• Epitaxial die construction
• Ultra-small surface-mount package
• Halogen-free, Green device
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	40В
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	200мВт
Полярность Транзистора	NPN, PNP
DC Ток Коллектора	600мА
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.75 (NPN) V, -0.75 (PNP) V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Maximum Operating Frequency	200 (PNP) MHz, 250 (NPN) MHz
Number of Elements per Chip	2
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1.2 (NPN) V, -1.3 (PNP) V
Length	2.2mm
Maximum Collector Base Voltage	-40 V, 60 V
Transistor Configuration	Isolated
Brand	DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Package Type	SOT-363 (SC-88)
Maximum Power Dissipation	200 mW
Mounting Type	Surface Mount
Minimum Operating Temperature	-55 C
Width	1.35mm
Maximum DC Collector Current	600 mA
Transistor Type	NPN + PNP
Height	1mm
Pin Count	6
Maximum Emitter Base Voltage	-5 (PNP) V, 6 (NPN) V
Dimensions	2.2 x 1.35 x 1mm
Minimum DC Current Gain	20 (NPN), 20 (PNP)
Вес, г	0.006

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...