MMDT5451-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 160 В, 200 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-363
28 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The MMDT5451-7-F is a NPN-PNP complementary small signal Bipolar Transistor Array ideal for medium power amplification and switching applications.
• UL94V-0 Flammability rating
• Epitaxial planar die construction
• Ultra-small surface-mount package
• Green device
• -55 to 150°C Operating temperature range
• Complementary pair (5551 - NPN and 5401 - PNP)
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
Полярность Транзистора | NPN, PNP |
DC Ток Коллектора | 200ма |
DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.2 (NPN) V, -0.5 (PNP) V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Maximum Operating Frequency | 300 (NPN) MHz, 300 (PNP) MHz |
Number of Elements per Chip | 2 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1 (NPN) V, -1 (PNP) V |
Length | 2.2mm |
Maximum Collector Base Voltage | -160 V, 180 V |
Transistor Configuration | Isolated |
Brand | DiodesZetex |
Maximum Collector Emitter Voltage | 150 V, 160 V |
Package Type | SOT-363 (SC-88) |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 1.35mm |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Transistor Type | NPN + PNP |
Height | 1mm |
Pin Count | 6 |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 (PNP) V, 6 (NPN) V |
Dimensions | 2.2 x 1.35 x 1mm |
Minimum DC Current Gain | 30 (NPN), 50 (PNP) |
Вес, г | 0.006 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...