MMDT5551-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, 160 В, 200 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-363
32 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The MMDT5551-7-F is a dual NPN small signal surface-mount Bipolar Transistor Array offers 200mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for medium power amplification and switching applications.
• UL94V-0 Flammability rating
• Epitaxial planar die construction
• Ultra-small surface-mount package
• Green device
• PNP complementary MMDT5401
• -55 to 150°C Operating temperature range
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 200ма |
| DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,2 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 300 MHz |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Длина | 2.2мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -180 В |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 160 В |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.35мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 6 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Вес, г | 0.064 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...