DMMT5551-7-F, Массив биполярных транзисторов, NPN, 160 В, 300 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-26
33 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The DMMT5551-7-F is a matched NPN small signal surface-mount Transistor Array ideal for low power amplification and switching.
• UL94V-0 Flammability rating
• Epitaxial planar die construction
• DMMT5401 Complementary PNP type
• Intrinsically matched NPN pair
• Green device
• -55 to 150°C Operating temperature range
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-26 |
Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 200ма |
DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,2 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 300 MHz |
Количество элементов на ИС | 2 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
Длина | 3.1мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Максимальное напряжение коллектор-база | -180 В |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 160 В |
Тип корпуса | SOT-26 |
Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 1.7мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.3 |
Число контактов | 6 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
Размеры | 3.1 x 1.7 x 1.3мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
Вес, г | 0.008 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...