ULN2002AN, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 500 мА, DIP

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
ULN2002AN, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 500 мА, DIP

ULN2002AN, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 500 мА, DIP

картинка ULN2002AN, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 500 мА, DIP
130 руб.
Производитель
Texas Instruments
Заказать
Полное описание

High-voltage, high-current darlington arrays each contains seven open collector darlington pairs with common emitters. Suitable for relay drivers, stepper and DC brushed motor drivers, lamp drivers, display drivers (LED and gas discharge), line drivers and logic buffers.

• Integrated suppression diode for inductive loads
• Output can be paralleled for higher current
• TTL/CMOS/PMOS/DTL compatible inputs
• Input pins are placed opposite to output pins to simplify layout

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура70 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Стиль Корпуса Транзистораdip
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора500мА
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1,6 В
Максимальная рабочая температура+70 C
Количество элементов на ИС7
Длина19.3мм
Transistor ConfigurationОбщий эмиттер
ПроизводительTexas Instruments
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 В
Максимальный непрерывный ток коллектора500 mA
Тип корпусаPDIP
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-20 C
Ширина6.35мм
Тип транзистораNPN
Высота4.57мм
Число контактов16
Размеры19.3 x 6.35 x 4.57мм
Вес, г1.208
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...