ULN2003AD, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 25 Вт, 500 мА, 600 hFE, SOIC

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
ULN2003AD, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 25 Вт, 500 мА, 600 hFE, SOIC

ULN2003AD, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 25 Вт, 500 мА, 600 hFE, SOIC

картинка ULN2003AD, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 25 Вт, 500 мА, 600 hFE, SOIC
70 руб.
Производитель
Texas Instruments
Заказать
Полное описание

ULN2003AD является массивом высоковольтных и сильноточных транзисторов Дарлингтона с поверхностным монтажом в корпусе SOIC. Каждый содержит 7 NPN пар Дарлингтона, которые обладают общим высоковольтный эмиттером и выходы с открытым коллектором с фиксирующим диодом с общим катодом для коммутации индуктивных нагрузок. Номинальный ток коллектора каждой пары Дарлингтона 500мА, а для более высоких токов существует возможность параллельного подключения. ULN2003A обладает базовым резистором 2.7кОм на каждой паре Дарлингтона для работы непосредственно с TTL или 5В КМОП устройствами. Типичными сферами применения являются драйверы реле, ударные дрели, драйверы ламп, драйверы дисплеев, линейные драйверы и буферы логики.

• Выходы высокого напряжения 50В
• Входы совместимы с логикой различного типа
• Входное напряжение во включенном состоянии 3В при Ic=300мА
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2В при Ic=350мА

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура70 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Рассеиваемая Мощность25Вт
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора500мА
DC Усиление Тока hFE600hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1,6 В
Максимальная рабочая температура+70 C
Количество элементов на ИС7
Длина9.9мм
Transistor ConfigurationОбщий эмиттер
ПроизводительTexas Instruments
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора500 мА
Тип корпусаSOIC
Тип монтажаSurface Mount
Минимальная рабочая температура-20 C
Ширина3.91мм
Тип транзистораNPN
Высота1.58мм
Число контактов16
Размеры9.9 x 3.91 x 1.58мм
Максимальное напряжение эмиттер-база50 V
Вес, г0.34
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...