ULN2003AD, Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 25 Вт, 500 мА, 600 hFE, SOIC
- Производитель
- Texas Instruments
ULN2003AD является массивом высоковольтных и сильноточных транзисторов Дарлингтона с поверхностным монтажом в корпусе SOIC. Каждый содержит 7 NPN пар Дарлингтона, которые обладают общим высоковольтный эмиттером и выходы с открытым коллектором с фиксирующим диодом с общим катодом для коммутации индуктивных нагрузок. Номинальный ток коллектора каждой пары Дарлингтона 500мА, а для более высоких токов существует возможность параллельного подключения. ULN2003A обладает базовым резистором 2.7кОм на каждой паре Дарлингтона для работы непосредственно с TTL или 5В КМОП устройствами. Типичными сферами применения являются драйверы реле, ударные дрели, драйверы ламп, драйверы дисплеев, линейные драйверы и буферы логики.
• Выходы высокого напряжения 50В
• Входы совместимы с логикой различного типа
• Входное напряжение во включенном состоянии 3В при Ic=300мА
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2В при Ic=350мА
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 70 C |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 500мА |
DC Усиление Тока hFE | 600hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,6 В |
Максимальная рабочая температура | +70 C |
Количество элементов на ИС | 7 |
Длина | 9.9мм |
Transistor Configuration | Общий эмиттер |
Производитель | Texas Instruments |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
Тип корпуса | SOIC |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -20 C |
Ширина | 3.91мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.58мм |
Число контактов | 16 |
Размеры | 9.9 x 3.91 x 1.58мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 50 V |
Вес, г | 0.34 |
- Полное описание
- Комментарии