IRF7506TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -1.7 А, -30 В, 0.27 Ом, -10 В, -1 В
74 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | uSOIC |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
| Непрерывный Ток Стока | -1.7А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.27Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,7 А |
| Тип корпуса | MSOP |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 3мм |
| Высота | 0.86мм |
| Размеры | 3 x 3 x 0.86мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 9,7 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 270 m? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 7,5 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 180 pF @ 25 V |
| Тип канала | P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.121 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...