MOSFET, Transistor Type: MOSFET, Transistor Polarity: Dual N Channel, Continuous Drain Current, Id: 5.4A, Package/Case: 8-uSOIC, Power Dissipation, Pd: 1.3W, Drain Source On Resistance @ 2.7V: 45mohm
Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.4 А

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	uSOIC
Рассеиваемая Мощность	1.3Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	5.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.03Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Пороговое Напряжение Vgs	1.2В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	5.4 A
Тип корпуса	MSOP
Максимальное рассеяние мощности	1,3 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3мм
Высота	0.86мм
Размеры	3 x 3 x 0.86мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	2
Длина	3мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	8.5 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	36 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток	30 m?
Максимальное напряжение сток-исток	20 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	18 nC @ 4.5 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1310 пФ при 15 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-12 V, +12 V
Вес, г	0.1