IRF7507TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.4 А, 20 В, 0.085 Ом, 4.5 В, 700 мВ
56 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
The IRF7507TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The low profile (<,1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Low profile
• Fast switching performance
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | MSOP |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.4А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1.7 A, 2.4 A |
| Тип корпуса | MSOP |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 3мм |
| Высота | 0.86мм |
| Размеры | 3 x 3 x 0.86мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 5.7 ns, 9.1 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns, 38 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 140 мОм, 270 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 5.3 nC @ 4.5 V, 5.4 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 240 пФ при 15 В, 260 пФ при 15 В |
| Тип канала | N, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.284 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...