IRLHS6276TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.4 А, 20 В, 0.033 Ом, 4.5 В, 800 мВ

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
IRLHS6276TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.4 А, 20 В, 0.033 Ом, 4.5 В, 800 мВ

IRLHS6276TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.4 А, 20 В, 0.033 Ом, 4.5 В, 800 мВ

картинка IRLHS6276TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.4 А, 20 В, 0.033 Ом, 4.5 В, 800 мВ
60 руб.
Производитель
Infineon Technologies
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов6вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Рассеиваемая Мощность6.6Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds20В
Непрерывный Ток Стока3.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.033Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Пороговое Напряжение Vgs800мВ
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальный непрерывный ток стока9,6 A
Тип корпусаPQFN
Максимальное рассеяние мощности6,6 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина2.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость8.8s
Высота0.95мм
Размеры2.1 x 2.1 x 0.95мм
Количество элементов на ИС2
Длина2.1мм
Типичное время задержки включения4,4 нс
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения10 нс
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.5V
Максимальное сопротивление сток-исток62 m?
Максимальное напряжение сток-исток20 V
Число контактов6
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs3.1 nC @ 4.5 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds310 пФ при 10 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-12 V, +12 V
Прямое напряжение диода1.2V
Вес, г0.076
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...