DMG6601LVT-7, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 3.8 А, 30 В, 0.034 Ом, 10 В, 1 В

32 руб.

Полное описание

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Стиль Корпуса Транзистора	TSOT-26
Полярность Транзистора	N и P Дополнение
Maximum Operating Temperature	+150 C
Number of Elements per Chip	2
Length	2.9mm
Transistor Configuration	Isolated
Brand	DiodesZetex
Maximum Continuous Drain Current	2 A, 4.5 A
Package Type	TSOT-26
Maximum Power Dissipation	1.3 W
Mounting Type	Surface Mount
Minimum Operating Temperature	-55 C
Width	1.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Height	0.9mm
Maximum Drain Source Resistance	85 m?, 190 m?
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Pin Count	6
Typical Gate Charge @ Vgs	12.3 nC @ 10 V, 13.8 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N, P
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Вес, г	5

Загрузка комментариев...