DMG4800LSD-13, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7.5 А, 30 В, 0.012 Ом, 10 В, 1.6 В
36 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.012Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 7,5 А |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 1,5 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 3.95мм |
Высота | 1.5мм |
Размеры | 4.95 x 3.95 x 1.5мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 4.95мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Типичное время задержки включения | 5,03 нс |
Производитель | DiodesZetex |
Типичное время задержки выключения | 26,33 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 22 m? |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 8,56 нКл при 5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 798 пФ при 10 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
Вес, г | 5 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...