DMG6602SVT, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.4 А, 30 В, 0.038 Ом, 10 В, 1 В
31 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The DMG6602SVT from Diode Inc is a surface mount complementary pair enhancement mode MOSFET in TSOT-26 package. This MOSFET features low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage, designed to minimize the onstate resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and backlighting.
• Automotive grade AEC-Q101 qualified
• UL recognized
• Drain to source voltage (Vds) of 30V
• Gate to source voltage (Vgs) of ±20V
• Continuous drain current of 3.4A
• Power dissipation (Pd) of 1.27W
• Operating temperature range -55°C to 150°C
• Low on state resistance of 38mohm at Vgs of 10V
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOT-26 |
| Рассеиваемая Мощность | 1.12Вт |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.4А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Вес, г | 0.027 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...