DMG6602SVT-7, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 3.4 А, 30 В, 0.038 Ом, 10 В, 2.3 В
26 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOT-26 |
| Рассеиваемая Мощность | 840мВт |
| Полярность Транзистора | N и P Дополнение |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.4А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.9мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 3 нс, 4,8 нс |
| Производитель | DiodesZetex |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns, 20 ns |
| Максимальный непрерывный ток стока | 2,1 А, 3,4 А |
| Тип корпуса | TSOT-26 |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,27 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.6мм |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Высота | 0.9 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм, 140 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 2.9 x 1.6 x 0.9мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 7 нКл при 10 В, 9 нКл при 10 В |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 290 пФ при 15 В, 350 пФ при -15 В |
| Тип канала | N, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.121 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...