DMN5L06DWK-7, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 305 мА, 50 В, 2 Ом, 5 В, 1 В
40 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The DMN5L06DWK-7 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET with 1V of maximum low ON-resistance. It offers very low gate threshold voltage and low input capacitance.
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• Ultra-small surface-mount package
• Halogen-free, Green device
• UL94V-0 Flammability rating
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 50в |
Непрерывный Ток Стока | 305мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5в |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 2.2мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальный непрерывный ток стока | 300 mA |
Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
Максимальное рассеяние мощности | 250 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -65 C |
Ширина | 1.35мм |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Высота | 1мм |
Максимальное сопротивление сток-исток | 3 ? |
Максимальное напряжение сток-исток | 50 V |
Число контактов | 6 |
Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
Категория | Малый сигнал |
Материал транзистора | SI |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 50 pF @ 25 V |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.006 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...