DMN65D8LDW-7, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 180 мА, 60 В, 6 Ом, 10 В, 2 В
25 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 200 mA |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 400 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.35мм |
| Высота | 1мм |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 3,3 нс |
| Производитель | DiodesZetex |
| Типичное время задержки выключения | 12 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8 ? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 6 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 0,87 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 22 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 5 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...