DMN6040SSD-13, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5 А, 60 В, 0.03 Ом, 10 В, 3 В
50 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 6,6 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,7 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 3.95мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 4.95 x 3.95 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 4.95мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 6.6 ns |
| Производитель | DiodesZetex |
| Типичное время задержки выключения | 20,1 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 55 m? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22,4 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1287 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.127 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...