BSS8402DW-7-F, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 115 мА, 60 В, 13.5 Ом, 10 В, 2.5 В

42 руб.

Производитель: Diodes Incorporated

Полное описание

The BSS8402DW-7-F is a complementary pair Enhancement Mode MOSFET with matte tin finish annealed over Alloy 42 lead frame terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. Designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Low on resistance
• Low gate threshold voltage
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
• Green product
• AEC-Q101 Qualified

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	200мВт
Полярность Транзистора	N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	115мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	13.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	110 мА, 130 мА
Тип корпуса	SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности	200 mW
Тип монтажа	Surface Mount
Ширина	1.35мм
Высота	1мм
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	2.2мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	7 ns, 10 ns
Производитель	DiodesZetex
Типичное время задержки выключения	11 нс, 18 нс
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток	10 ?, 13.5 ?
Максимальное напряжение сток-исток	50 V, 60 V
Число контактов	6
Категория	Малый сигнал
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	22 пФ при 25 В, 45 пФ при -25 В
Тип канала	N, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.006

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...