CSD87350Q5D, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 40 А, 30 В, 0.005 Ом, 4.5 В, 2.1 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
CSD87350Q5D, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 40 А, 30 В, 0.005 Ом, 4.5 В, 2.1 В

CSD87350Q5D, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 40 А, 30 В, 0.005 Ом, 4.5 В, 2.1 В

картинка CSD87350Q5D, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 40 А, 30 В, 0.005 Ом, 4.5 В, 2.1 В
220 руб.
Производитель
Texas Instruments
Заказать
Полное описание

The CSD87350Q5D is a Synchronous Buck NexFET™ Power Block optimized for synchronous buck applications offering high current, high efficiency and high frequency capability in a small 5x6mm outline. Optimized for 5V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired with any 5Vgate drive from an external controller/driver.

• Half-bridge power block
• 90% System efficiency at 25A
• High frequency operation (up to 1.5MHz)
• High density
• Low switching losses
• Ultra low inductance package
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов8вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораLSON
Рассеиваемая Мощность12Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока40А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.005Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Пороговое Напряжение Vgs2.1В
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальный непрерывный ток стока120 А
Тип корпусаSON
Максимальное рассеяние мощности12 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина5.1мм
Высота1.5мм
Размеры6.1 x 5.1 x 1.5мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС2
Длина6.1мм
Transistor ConfigurationСерия
Типичное время задержки включения7 (P-Channel) ns, 8 (N-Channel) ns
ПроизводительTexas Instruments
Типичное время задержки выключения13 нс, 33 нс
СерияNexFET
Минимальная рабочая температура-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток1,2 мОм, 5 мОм
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов8
Типичный заряд затвора при Vgs20 нКл при 4,5 В, 8,4 нКл при 4,5 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1360 пФ при 15 В, 2950 пФ при 15 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-8 V
Вес, г2.417
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...