CSD87334Q3DT, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 30 В, 0.0049 Ом, 8 В, 900 мВ
120 руб.
- Производитель
- Texas Instruments
Полное описание
Power MOSFET Modules, Texas InstrumentsПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | VSON |
| Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0049Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 8В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 60 A |
| Тип корпуса | VSON |
| Максимальное рассеяние мощности | 6 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 3.4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 62s |
| Высота | 1.05мм |
| Размеры | 3.4 x 3.4 x 1.05мм |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 3.4мм |
| Transistor Configuration | Двойная база |
| Типичное время задержки включения | 4 ns |
| Производитель | Texas Instruments |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns |
| Серия | NexFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.75V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,3 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10,5 нКл |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 971 пФ при 15 В |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +10 В |
| Прямое напряжение диода | 1V |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...