CSD18534Q5A, MOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A, 0.0078OHM,
87 руб.
- Производитель
- Texas Instruments
Полное описание
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas InstrumentsПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | SON |
Рассеиваемая Мощность | 3.1Вт |
Полярность Транзистора | N Channel |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 50А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0078Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 69 A |
Тип корпуса | SON |
Максимальное рассеяние мощности | 3,1 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 5мм |
Высота | 1.1мм |
Размеры | 5.8 x 5 x 1.1мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 5.8мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 5,2 нс |
Производитель | Texas Instruments |
Типичное время задержки выключения | 15 нс |
Серия | NexFET |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 12,4 м? |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 17 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1360 пФ при 30 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.254 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...