CSD19531KCS, MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220-3
180 руб.
- Производитель
- Texas Instruments
Полное описание
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas InstrumentsПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-220 |
| Рассеиваемая Мощность | 179Вт |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0064Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 110 А |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное рассеяние мощности | 214 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 16.51мм |
| Размеры | 10.67 x 4.7 x 16.51мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 8,4 нс |
| Производитель | Texas Instruments |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Серия | NexFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8.8 m? |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 38 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2980 пФ при 50 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.965 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...