CSD85301Q2T, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 900 мВ

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
CSD85301Q2T, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 900 мВ

CSD85301Q2T, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 900 мВ

картинка CSD85301Q2T, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 900 мВ
63 руб.
Производитель
Texas Instruments
Заказать
Полное описание

The CSD85301Q2T is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source ON-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

• Low ON-resistance
• Optimized for 5V gate driver
• Avalanche rated
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов6вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораWSON
Рассеиваемая Мощность2.3Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds20В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.023Ом
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Пороговое Напряжение Vgs900мВ
Вес, г0.06
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...