BSS84W-7-F, МОП-транзистор, P Канал, -130 мА, -50 В, 10 Ом, -5 В, -1.6 В

30 руб.

Производитель: Diodes Incorporated

Полное описание

The BSS84W-7-F is a P-channel enhancement-mode FET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Low ON-resistance
• Low gate threshold voltage
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Halogen-free, Green device
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Рассеиваемая Мощность	200мВт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-50В
Непрерывный Ток Стока	-130мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	10Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	-5В
Пороговое Напряжение Vgs	-1.6В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	130 мА
Тип корпуса	SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности	200 mW
Тип монтажа	Surface Mount
Ширина	1.35мм
Высота	1мм
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	2.2мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	10 нс
Производитель	DiodesZetex
Типичное время задержки выключения	18 нс
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	10 ?
Максимальное напряжение сток-исток	50 V
Число контактов	3
Категория	Малый сигнал
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	45 пФ при -25 В
Тип канала	A, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.006

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...