2N7002-7-F, МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 60 В, 13.5 Ом, 10 В, 2.5 В

5 руб.

Производитель: Diodes Incorporated

Полное описание

The 2N7002-7-F is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS (on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. The case is made of molded plastic, Green molding compound (UL94V-0).

• Low on-resistance
• Low gate threshold voltage
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• Halogen and antimony-free
• Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	300мВт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	115мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	13.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	115 mA
Тип корпуса	SOT-23
Максимальное рассеяние мощности	300 мВт
Тип монтажа	Surface Mount
Ширина	1.4мм
Высота	1.1мм
Размеры	3 x 1.4 x 1.1мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	3мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	7 ns
Производитель	DiodesZetex
Типичное время задержки выключения	11 ns
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток	13,5 ?
Максимальное напряжение сток-исток	60 В
Число контактов	3
Категория	Малый сигнал
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	22 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.008

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...