2N7002K-7, МОП-транзистор, N Канал, 300 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 1.6 В
16 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The 2N7002K-7 is an N-channel Enhancement Mode MOSFET designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It features molded green plastic case, matte tin annealed over alloy 42 terminals and solderable lead frame per MIL-STD-202 standards.
• UL94V-0 Flammability rating
• Low on-resistance
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• ESD protected up to 2kV
• Halogen-free
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 300мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | DiodesZetex |
| Maximum Continuous Drain Current | 380 mA |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.4mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Height | 1.1mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 ? |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.3 nC @ 4.5 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.008 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...