2N7002W-7-F, МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 60 В, 13.5 Ом, 10 В, 2 В

28 руб.

Производитель: Diodes Incorporated

Полное описание

The 2N7002W-7-F is a N-channel enhancement-mode FET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.

• Low ON-resistance
• Low gate threshold voltage
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• Ultra-small surface-mount package
• Halogen-free, Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Рассеиваемая Мощность	200мВт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	115мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	13.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	115 mA
Тип корпуса	SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности	200 mW
Тип монтажа	Surface Mount
Ширина	1.35мм
Высота	1мм
Размеры	2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	2.2мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	7 ns
Производитель	DiodesZetex
Типичное время задержки выключения	11 ns
Минимальная рабочая температура	-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	13,5 ?
Максимальное напряжение сток-исток	60 В
Число контактов	3
Категория	Малый сигнал
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	22 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.006

Полное описание
Комментарии

Загрузка комментариев...