BSP75G, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 1.4 А, 60 В, 0.55 Ом, 10 В, 2.1 В
130 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
The BSP75G is an IntelliFET™ N-channel self-protected low-side MOSFET features monolithic overtemperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level power MOSFET intended as a general purpose switch.
• Short circuit protection with auto restart
• Overvoltage protection (active clamp)
• Thermal shutdown with auto restart
• Overcurrent protection
• Input protection (ESD)
• High continuous current rating
• Load dump protection (actively protects load)
• Logic level input
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.4А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.55Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Вес, г | 0.14 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...