BSN20-7, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 50 В, 1.3 Ом, 10 В, 1 В
24 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 600мВт |
Полярность Транзистора | N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 50в |
Непрерывный Ток Стока | 500мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.3Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 500 мА |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 920 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.4мм |
Высота | 1мм |
Размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 2,93 нс |
Производитель | DiodesZetex |
Типичное время задержки выключения | 9,45 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 2 ? |
Максимальное напряжение сток-исток | 50 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 0,8 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 21,8 пФ при 10 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.005 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...