BS170F, МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BS170F, МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В

BS170F, МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В

картинка BS170F, МОП-транзистор, N Канал, 150 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В
63 руб.
Производитель
Diodes Incorporated
Заказать
Полное описание

The BS170F from Diode Inc is a surface mount, N channel enhancement mode vertical DMOS FET in SOT-23 package.

• Automotive grade AEC-Q101 qualified
• Drain to source Voltage (Vds) of 60V
• Gate to source voltage (Vgs) of ±20
• Continuous drain current (Id) 0.15mA to 25°C
• Power dissipation (pd) of 330mW
• Operating temperature range -55°C to 150°C
• Low on state resistance of 5ohm at Vgs 10V

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Рассеиваемая Мощность330мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока150мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г0.033
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...