BS170P, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BS170P, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В

BS170P, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В

картинка BS170P, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В
86 руб.
Производитель
Diodes Incorporated
Заказать
Полное описание

The BS170P is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin plated terminals as per MIL-STD-202 standard.

• Halogen-free, Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораE-Line
Рассеиваемая Мощность625мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока270мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusUnconfirmed
HTS8541.29.00.95
Product CategorySmall Signal
Process TechnologyDMOS
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Maximum Continuous Drain Current (A)0.27
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)5000@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)60@10V
Maximum Power Dissipation (mW)625
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
AutomotiveNo
Standard Package NameTO-92
Supplier PackageE-Line
Pin Count3
MilitaryNo
MountingThrough Hole
Package Height3.9
Package Length4.57
Package Width2.28
PCB changed3
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г0.136
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...