BSZ018NE2LSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 25 В, 0.0015 Ом, 10 В, 2 В
- Производитель
- Infineon Technologies
The BSZ018NE2LS is a N-channel Power MOSFET with new OptiMOS™ 25V product family, sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications. Available in half bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.
• Reduces the number of phases in multiphase converters
• Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
• Save space with smallest packages like CanPAK™
• Optimized for high performance Buck converter (Server, VGA)
• Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS
• Low FOMSW for High Frequency SMPS
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
• 100% Avalanche tested
• Superior thermal resistance
• Qualified according to JEDE for target applications
• Halogen-free, Green device
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0015Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Вес, г | 0.122 |
- Полное описание
- Комментарии