BSZ900N15NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 150 В, 0.074 Ом, 10 В, 3 В
- Производитель
- Infineon Technologies
The BSZ900N15NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated 2
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Normal level
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON |
| Рассеиваемая Мощность | 38Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.074Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Вес, г | 0.078 |
- Полное описание
- Комментарии