BSZ440N10NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 100 В, 0.038 Ом, 10 В, 2.7 В
92 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
The BSZ440N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Environmentally friendly
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Halogen-free
• MSL1 rated 2
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TSDSON |
| Рассеиваемая Мощность | 29Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Вес, г | 0.095 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...