BSZ123N08NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 80 В, 0.0103 Ом, 10 В, 2.8 В
130 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
The BSZ123N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
• Dual sided cooling
• Low parasitic inductance
• Low profile (<,0.7mm)
• Reduced switching and conduction losses
• Superior thermal resistance
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TSDSON |
| Рассеиваемая Мощность | 66Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0103Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Вес, г | 0.14 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...