BSZ097N10NS5ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.0083 Ом, 10 В, 3 В
170 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON |
Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
Полярность Транзистора | N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 40А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0083Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Линейка Продукции | OptiMOS 5 Series |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Process Technology | OptiMOS 5 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.8 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 40 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.7@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1600@50V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
Typical Fall Time (ns) | 5 |
Typical Rise Time (ns) | 5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
Minimum Operating Temperature (C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | Yes |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SON |
Supplier Package | TSDSON EP |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.10(Max) |
Package Length | 3.4(Max) |
Package Width | 3.4(Max) |
PCB changed | 8 |
Lead Shape | No Lead |
Вес, г | 0.389 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...