BSZ097N04LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 0.0081 Ом, 10 В, 1.2 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BSZ097N04LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 0.0081 Ом, 10 В, 1.2 В

BSZ097N04LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 0.0081 Ом, 10 В, 1.2 В

картинка BSZ097N04LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 0.0081 Ом, 10 В, 1.2 В
91 руб.
Производитель
Infineon Technologies
Заказать
Полное описание

The BSZ097N04LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition it can be used for a broad range of industrial applications including fast switching DC-to-DC converter.

• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON)
• Ideal for fast switching applications
• MSL1 rated
• Highest system efficiency
• Increased power density
• Very low voltage overshoot
• Logic level
• Superior thermal resistance
• 100% Avalanche tested
• Halogen-free, Green device
• Qualified according to JEDEC for target applications

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов8вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораPG-TSDSON
Рассеиваемая Мощность35Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Напряжение Истока-стока Vds40В
Непрерывный Ток Стока40А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0081Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs1.2В
Вес, г0.151
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...