SMMUN2211LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
SMMUN2211LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение

SMMUN2211LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение

картинка SMMUN2211LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение
38 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
Dual Resistor Digital NPN Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Количество Выводов3 Вывода
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Корпус РЧ Транзистораsot-23
Резистор На входе Базы R110кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Резистор База-эмиттер R210кОм
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичный коэффициент резистора1
Количество элементов на ИС1
Длина3.04мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 В
Максимальный непрерывный ток коллектора100 mA
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности400 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина1.4мм
Тип транзистораNPN-NO/NC
Высота1.01мм
Число контактов3
Размеры3.04 x 1.4 x 1.01мм
Automotive StandardAEC-Q101
Типичный входной резистор10 к?
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току35
Вес, г0.002
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...