FJN4301RTA, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
FJN4301RTA, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

FJN4301RTA, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

картинка FJN4301RTA, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм
24 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
Dual Resistor Digital Transistors, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Количество Выводов3 Вывода
Напряжение Коллектор-Эмиттер-50В
Корпус РЧ Транзистораto-92
Резистор На входе Базы R14.7кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic-100мА
Резистор База-эмиттер R24.7кОм
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Типичный коэффициент резистора1
Максимальная рабочая температура+150 C
Количество элементов на ИС1
Длина5.2мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 В
Максимальный непрерывный ток коллектора100 mA
Тип корпусаTO-92
Максимальное рассеяние мощности300 мВт
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Ширина4.19мм
Тип транзистораPNP
Высота5.33мм
Число контактов3
Размеры5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальное напряжение эмиттер-база10 V
Типичный входной резистор4,7 к?
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току20
Вес, г0.5
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...