FJV3113RMTF, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
21 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Dual Resistor Digital Transistors, Fairchild SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Корпус РЧ Транзистора | sot-23 |
| Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичный коэффициент резистора | 0.047 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 100 mA |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.3мм |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 0.93мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V |
| Типичный входной резистор | 2,2 к? |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Вес, г | 0.2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...