MMUN2132LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMUN2132LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

MMUN2132LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

картинка MMUN2132LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм
13 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
Dual Resistor Digital PNP Transistors, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Количество Выводов3 Вывода
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Корпус РЧ Транзистораsot-23
Резистор На входе Базы R14.7кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Резистор База-эмиттер R24.7кОм
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичный коэффициент резистора1
Количество элементов на ИС1
Длина2.9мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора100 mA
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина1.3мм
Тип транзистораPNP
Высота0.94мм
Число контактов3
Размеры2.9 x 1.3 x 0.94мм
Типичный входной резистор4,7 к?
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току15
Вес, г1
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...