DTC114YM3T5G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
31 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Dual Resistor Digital NPN Transistors, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-723 |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.21соотношение |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичный коэффициент резистора | 0,21 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 1.25мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 100 mA |
| Тип корпуса | SOT-723 |
| Максимальное рассеяние мощности | 297 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 0.85мм |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 0.55мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 1.25 x 0.85 x 0.55мм |
| Типичный входной резистор | 10 к? |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Вес, г | 0.106 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...