DTC114EET1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм
14 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The DTC114EET1G is a NPN Digital Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-416 |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
| Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичный коэффициент резистора | 1 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 1.65мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 100 mA |
| Тип корпуса | SOT-416 (SC-75) |
| Максимальное рассеяние мощности | 338 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 0.9мм |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 0.8мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 1.65 x 0.9 x 0.8мм |
| Типичный входной резистор | 10 к? |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Вес, г | 0.005 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...