BC848C-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 300 МГц, 300 мВт, 100 мА, 600 hFE

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BC848C-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 300 МГц, 300 мВт, 100 мА, 600 hFE

BC848C-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 300 МГц, 300 мВт, 100 мА, 600 hFE

картинка BC848C-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 300 МГц, 300 мВт, 100 мА, 600 hFE
21 руб.
Производитель
Diodes Incorporated
Заказать
Полное описание

The BC848C-7-F is a NPN small signal Bipolar Transistor ideally suitable for automatic insertion, switching and AF amplifier applications.

• UL94V-0 Flammability rating
• BC856 - BC858 Complementary PNP types
• Halogen-free, Green device
• -65 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер30В
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Рассеиваемая Мощность300мВт
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора100мА
DC Усиление Тока hFE600hFE
Частота Перехода ft300МГц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,6 В
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальная рабочая частота300 MHz
Количество элементов на ИС1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер-0,9 В
Длина3мм
Максимальное напряжение коллектор-база30 V
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительDiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)30 V
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности300 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-65 C
Ширина1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора100 mA
Тип транзистораNPN
Высота1.1мм
Число контактов3
Размеры3 x 1.4 x 1.1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току420
Вес, г0.125
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...