BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE

BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE

картинка BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE
22 руб.
Производитель
Diodes Incorporated
Заказать
Полное описание
Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер65В
Стиль Корпуса ТранзистораX2-DFN1006
Рассеиваемая Мощность460мВт
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора100мА
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft300МГц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 мВ
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальная рабочая частота300 MHz
Количество элементов на ИС1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер900 мВ
Длина1.05мм
Максимальное напряжение коллектор-база80 V
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительDiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)65 V
Тип корпусаX2-DFN1006
Максимальное рассеяние мощности1 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина0.65мм
Максимальный пост. ток коллектора100 mA
Тип транзистораNPN-NO/NC
Высота0.35мм
Число контактов3
Максимальное напряжение эмиттер-база6 В
Размеры1.05 x 0.65 x 0.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току450
Вес, г0.005
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...