BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 300 МГц, 460 мВт, 100 мА, 200 hFE
22 руб.
- Производитель
- Diodes Incorporated
Полное описание
Small Signal NPN Transistors, Diodes IncПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 65В |
Стиль Корпуса Транзистора | X2-DFN1006 |
Рассеиваемая Мощность | 460мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 мВ |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 300 MHz |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 900 мВ |
Длина | 1.05мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
Тип корпуса | X2-DFN1006 |
Максимальное рассеяние мощности | 1 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 0.65мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
Тип транзистора | NPN-NO/NC |
Высота | 0.35мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
Размеры | 1.05 x 0.65 x 0.35мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 450 |
Вес, г | 0.005 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...