BC849C,215, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 250 мВт, 100 мА, 520 hFE
19 руб.
- Производитель
- Nexperia
Полное описание
The BC849C, 215 is a NPN general purpose Transistor with 3 leads, low current and voltage, plastic surface mount package. Designed for switching and amplification applications.
• Complement to BC859
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 520hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 30 V |
| Производитель | Nexperia |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 30 V |
| Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 1 x 3 x 1.4мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 420 |
| Вес, г | 0.033 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...