BC847BTT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 200 мВт, 100 мА, 450 hFE
13 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
GP BJTTrans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-75 |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 450hFE |
| Частота Перехода ft | 100мгц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 1.8мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 50 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
| Тип корпуса | SOT-416 (SC-75) |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -50 C |
| Ширина | 0.9мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 0.9мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 1.8 x 0.9 x 0.9мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Вес, г | 1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...